FDN302P характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	PowerTrench®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	SuperSOT-3
Рассеивание мощности (Макс)	500mW (Ta)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	55 mOhm @ 2.4A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	14nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	882pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Vgs (Max)	±12V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	PowerTrench®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	SuperSOT-3
Рассеивание мощности (Макс)	500mW (Ta)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	55 mOhm @ 2.4A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	14nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	882pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Vgs (Max)	±12V

FDN302P

FDN302P характеристики