FDMS0312AS характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	PowerTrench®, SyncFET™
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerTDFN
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	8-PQFN (5x6)
Рассеивание мощности (Макс)	2.5W (Ta), 36W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	18A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5 mOhm @ 18A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	31nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1815pF @ 15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	PowerTrench®, SyncFET™
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerTDFN
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	8-PQFN (5x6)
Рассеивание мощности (Макс)	2.5W (Ta), 36W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	18A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5 mOhm @ 18A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	31nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1815pF @ 15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

FDMS0312AS

FDMS0312AS характеристики