FDMC86102L от 405 ₽, Транзисторы — полевые — одиночные, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 41Вт; MLP8, ON Semiconductor

FDMC86102L характеристики	Выбрать все
Серия	PowerTrench®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerWDFN
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	8-MLP (3.3x3.3)
Рассеивание мощности (Макс)	2.3W (Ta), 41W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	100V
Ток стока (Id) @ 25°C	7A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	23 mOhm @ 7A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	22nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1330pF @ 50V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Серия	PowerTrench®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerWDFN
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	8-MLP (3.3x3.3)
Рассеивание мощности (Макс)	2.3W (Ta), 41W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	100V
Ток стока (Id) @ 25°C	7A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	23 mOhm @ 7A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	22nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1330pF @ 50V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V