FDMC510P от 480 ₽, Транзисторы — полевые — одиночные, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -18А; 41Вт; MLP8, ON Semiconductor

FDMC510P характеристики	Выбрать все
Серия	PowerTrench®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerWDFN
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	8-MLP (3.3x3.3)
Рассеивание мощности (Макс)	2.3W (Ta), 41W (Tc)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	12A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8 mOhm @ 12A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	116nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	7860pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Vgs (Max)	±8V

Характеристики	Выбрать все
Серия	PowerTrench®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerWDFN
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	8-MLP (3.3x3.3)
Рассеивание мощности (Макс)	2.3W (Ta), 41W (Tc)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	12A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8 mOhm @ 12A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	116nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	7860pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Vgs (Max)	±8V