Каталог товаров
Назад

FDM2509NZ

  • Описание
    MOSFET 2N-CH 20V 8.7A 2X5MLP


FDM2509NZ характеристики

Производитель ON Semiconductor
Серия PowerTrench®
Part Status Obsolete
Упаковка Tape & Reel (TR)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 6-WFDFN Exposed Pad
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 800mW
Исполнение корпуса 6-MicroFET (2x5)
Тип полевого транзистора 2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 20V
Ток стока (Id) @ 25°C 8.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18 mOhm @ 8.7A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1200pF @ 10V

Характеристики

Производитель ON Semiconductor
Серия PowerTrench®
Part Status Obsolete
Упаковка Tape & Reel (TR)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 6-WFDFN Exposed Pad
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 800mW
Исполнение корпуса 6-MicroFET (2x5)
Тип полевого транзистора 2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 20V
Ток стока (Id) @ 25°C 8.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18 mOhm @ 8.7A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1200pF @ 10V

FDM2509NZ

  • Описание
    MOSFET 2N-CH 20V 8.7A 2X5MLP
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию


Гарантия на продукцию

Даем год гарантии на FDM2509NZ. Транзисторы — полевые — массивы производства ON Semiconductor доступны для заказа в нашей компании.

Транзисторы — полевые — массивы FDM2509NZ купить Вы можете в Зенер Электроникс с доставкой по всей России и в страны Таможенного союза.

Недавно просмотренные


Похожие товары
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
50 шт.
22 шт.
от 1088 ₽
+ 163200 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
50 шт.
83 шт.
от 890 ₽
+ 267000 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP
50 шт.
50 шт.
от 890 ₽
+ 267000 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC
50 шт.
29 шт.
от 669 ₽
+ 200700 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
338 шт.
от 986 ₽
+ 295800 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
99 шт.
от 887 ₽
+ 266100 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
240 шт.
от 656 ₽
+ 196800 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
43 шт.
от 590 ₽
+ 177000 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
348 шт.
от 656 ₽
+ 196800 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
3070 шт.
от 593 ₽
+ 177900 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
301 шт.
от 656 ₽
+ 196800 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
23 шт.
от 593 ₽
+ 177900 баллов