FDC658P от 181 ₽, Транзисторы — полевые — одиночные, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4А; 1,6Вт; SuperSOT-6, ON Semiconductor

FDC658P характеристики	Выбрать все
Серия	PowerTrench®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	SuperSOT™-6
Рассеивание мощности (Макс)	1.6W (Ta)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	50 mOhm @ 4A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	750pF @ 15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Серия	PowerTrench®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	SuperSOT™-6
Рассеивание мощности (Макс)	1.6W (Ta)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	50 mOhm @ 4A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	750pF @ 15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V