FDC6506P Транзисторы — полевые — массивы, MOSFET 2P-CH 30V 1.8A SSOT6, ON Semiconductor

FDC6506P характеристики	Выбрать все
Серия	PowerTrench®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	700mW
Исполнение корпуса	SuperSOT™-6
Тип полевого транзистора	2 P-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	1.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	170 mOhm @ 1.8A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	3.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	190pF @ 15V

Характеристики	Выбрать все
Серия	PowerTrench®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	700mW
Исполнение корпуса	SuperSOT™-6
Тип полевого транзистора	2 P-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	1.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	170 mOhm @ 1.8A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	3.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	190pF @ 15V