FDC6333C от 138 ₽, Транзисторы — полевые — массивы, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 30/-30В, ON Semiconductor

FDC6333C характеристики	Выбрать все
Серия	PowerTrench®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	700mW
Исполнение корпуса	SuperSOT™-6
Тип полевого транзистора	N and P-Channel
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	2.5A, 2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	95 mOhm @ 2.5A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6.6nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	282pF @ 15V

Характеристики	Выбрать все
Серия	PowerTrench®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	700mW
Исполнение корпуса	SuperSOT™-6
Тип полевого транзистора	N and P-Channel
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	2.5A, 2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	95 mOhm @ 2.5A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6.6nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	282pF @ 15V