Каталог товаров
Назад

FDC3601N

  • Описание
    Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 100В; 1А; 0,96Вт; SuperSOT-6
150
цена с НДС
  • 1 шт
    150 ₽
  • 10 шт
    94 ₽
  • 100 шт
    61 ₽
  • 500 шт
    47 ₽
  • 1000 шт
    42 ₽
  • 3000 шт
    37.4 ₽
  • 6000 шт
    33.5 ₽
  • 9000 шт
    29.3 ₽
Добавить в корзину 1 шт на сумму 150
При покупке кэшбэк 22 балла
  • Бесплатная доставка по России
    Бесплатная доставка без минимальной суммы заказа!
    Доставим в любой пункт выдачи СДЭК или курьером до вашего адреса по всей России.

FDC3601N характеристики

Серия PowerTrench®
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 700mW
Исполнение корпуса SuperSOT™-6
Тип полевого транзистора 2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 100V
Ток стока (Id) @ 25°C 1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500 mOhm @ 1A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 153pF @ 50V
  • Производитель
    onsemi / Fairchild

Характеристики

Серия PowerTrench®
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 700mW
Исполнение корпуса SuperSOT™-6
Тип полевого транзистора 2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 100V
Ток стока (Id) @ 25°C 1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500 mOhm @ 1A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 153pF @ 50V

FDC3601N

  • Описание
    Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 100В; 1А; 0,96Вт; SuperSOT-6
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию


  • Производитель
    onsemi / Fairchild

Бесплатно доставим FDC3601N в пункт выдачи или курьером по вашему адресу

Транзисторы — полевые — массивы FDC3601N ON Semiconductor доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить FDC3601N с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.


Похожие товары
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
25 шт - 4-6 недель
от 1763 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 264
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
20 шт - 4-6 недель
от 1584 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 238
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP
40 шт - 4-6 недель
от 1584 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 238
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC
43 шт - 4-6 недель
от 1281 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 192
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
34 шт - 4-6 недель
от 1703 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 255
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
45 шт - 4-6 недель
от 1703 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 255
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
139 шт - 4-6 недель
от 1234 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 185
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
40 шт - 4-6 недель
от 1238 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 186
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14DIP
188 шт - 4-6 недель
от 1231 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 185
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14SOIC
3011 шт - 4-6 недель
от 1238 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 186
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14DIP
152 шт - 4-6 недель
от 1231 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 185
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14SOIC
31 шт - 4-6 недель
от 1147 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 172