FDB5645 характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	PowerTrench®
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-65°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	D?PAK (TO-263AB)
Рассеивание мощности (Макс)	125W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.5 mOhm @ 40A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	107nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4468pF @ 30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	PowerTrench®
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-65°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	D?PAK (TO-263AB)
Рассеивание мощности (Макс)	125W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.5 mOhm @ 40A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	107nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4468pF @ 30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Vgs (Max)	±20V

FDB5645

FDB5645 характеристики