FDB33N25TM от 576 ₽, Транзисторы — полевые — одиночные, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 33А; 235Вт; D2PAK, ON Semiconductor

FDB33N25TM характеристики	Выбрать все
Серия	UniFET™
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	D?PAK
Рассеивание мощности (Макс)	235W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	250V
Ток стока (Id) @ 25°C	33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	94 mOhm @ 16.5A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	48nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2135pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±30V

Характеристики	Выбрать все
Серия	UniFET™
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	D?PAK
Рассеивание мощности (Макс)	235W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	250V
Ток стока (Id) @ 25°C	33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	94 mOhm @ 16.5A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	48nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2135pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±30V