FDA8440 характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	PowerTrench®
Part Status	Active
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-3P-3, SC-65-3
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-3PN
Рассеивание мощности (Макс)	306W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	40V
Ток стока (Id) @ 25°C	30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.1 mOhm @ 80A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	450nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	24740pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	PowerTrench®
Part Status	Active
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-3P-3, SC-65-3
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-3PN
Рассеивание мощности (Макс)	306W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	40V
Ток стока (Id) @ 25°C	30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.1 mOhm @ 80A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	450nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	24740pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

FDA8440

FDA8440 характеристики