FDA59N30 характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	UniFET™
Part Status	Active
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-3P-3, SC-65-3
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-3PN
Рассеивание мощности (Макс)	500W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	300V
Ток стока (Id) @ 25°C	59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	56 mOhm @ 29.5A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	100nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4670pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±30V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	UniFET™
Part Status	Active
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-3P-3, SC-65-3
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-3PN
Рассеивание мощности (Макс)	500W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	300V
Ток стока (Id) @ 25°C	59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	56 mOhm @ 29.5A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	100nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4670pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±30V

FDA59N30

FDA59N30 характеристики