FCPF099N65S3 характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	SuperFET® III
Part Status	Active
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-220-3 Full Pack
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-220F
Рассеивание мощности (Макс)	43W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	650V
Ток стока (Id) @ 25°C	30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	99 mOhm @ 15A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4.5V @ 3mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	57nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2310pF @ 400V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±30V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	SuperFET® III
Part Status	Active
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-220-3 Full Pack
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-220F
Рассеивание мощности (Макс)	43W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	650V
Ток стока (Id) @ 25°C	30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	99 mOhm @ 15A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4.5V @ 3mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	57nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2310pF @ 400V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±30V

FCPF099N65S3

FCPF099N65S3 характеристики