FCP850N80Z характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	SuperFET® II
Part Status	Active
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-220-3
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-220
Рассеивание мощности (Макс)	136W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	800V
Ток стока (Id) @ 25°C	8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	850 mOhm @ 3A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4.5V @ 600µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	29nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1315pF @ 100V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	SuperFET® II
Part Status	Active
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-220-3
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-220
Рассеивание мощности (Макс)	136W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	800V
Ток стока (Id) @ 25°C	8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	850 mOhm @ 3A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4.5V @ 600µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	29nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1315pF @ 100V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V

FCP850N80Z

FCP850N80Z характеристики