2202 характеристики	Выбрать все
Производитель	EPC
Серия	Automotive, AEC-Q101, eGaN®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	Die
Технология	GaNFET (Gallium Nitride)
Рабочая температура	-40°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	Die Outline (6-Solder Bar)
Рассеивание мощности (Макс)	-
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	80V
Ток стока (Id) @ 25°C	18A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	17 mOhm @ 11A, 5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 3mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	4nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	415pF @ 50V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	5V
Vgs (Max)	+5.75V, -4V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	EPC
Серия	Automotive, AEC-Q101, eGaN®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	Die
Технология	GaNFET (Gallium Nitride)
Рабочая температура	-40°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	Die Outline (6-Solder Bar)
Рассеивание мощности (Макс)	-
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	80V
Ток стока (Id) @ 25°C	18A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	17 mOhm @ 11A, 5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 3mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	4nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	415pF @ 50V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	5V
Vgs (Max)	+5.75V, -4V

2202

2202 характеристики