2108 характеристики	Выбрать все
Производитель	EPC
Серия	eGaN®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	9-VFBGA
Рабочая температура	-40°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	-
Исполнение корпуса	9-BGA (1.35x1.35)
Тип полевого транзистора	3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Особенности полевого транзистора	GaNFET (Gallium Nitride)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V, 100V
Ток стока (Id) @ 25°C	1.7A, 500mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	190 mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3 Ohm @ 2.5A, 5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	22pF @ 30V, 7pF @ 30V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	EPC
Серия	eGaN®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	9-VFBGA
Рабочая температура	-40°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	-
Исполнение корпуса	9-BGA (1.35x1.35)
Тип полевого транзистора	3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Особенности полевого транзистора	GaNFET (Gallium Nitride)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V, 100V
Ток стока (Id) @ 25°C	1.7A, 500mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	190 mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3 Ohm @ 2.5A, 5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	22pF @ 30V, 7pF @ 30V

2108

2108 характеристики