+7 (495) 133-39-03 | info@zener.ru
+7 (495) 133-39-03
корзина
Нет товаров
Электронные компоненты оптом и в розницу
корзина
Нет товаров
Каталог товаров
Назад
Все категории
Назад

2107

  • Описание
    MOSFET 3 N-CH 100V 9BGA
Отправить запрос


2107 характеристики
Серия eGaN®
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 9-VFBGA
Рабочая температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности -
Исполнение корпуса 9-BGA (1.35x1.35)
Тип полевого транзистора 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Особенности полевого транзистора GaNFET (Gallium Nitride)
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 100V
Ток стока (Id) @ 25°C 1.7A, 500mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 320 mOhm @ 2A, 5V, 3.3 Ohm @ 2A, 5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 16pF @ 50V, 7pF @ 50V

Характеристики
Серия eGaN®
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 9-VFBGA
Рабочая температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности -
Исполнение корпуса 9-BGA (1.35x1.35)
Тип полевого транзистора 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Особенности полевого транзистора GaNFET (Gallium Nitride)
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 100V
Ток стока (Id) @ 25°C 1.7A, 500mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 320 mOhm @ 2A, 5V, 3.3 Ohm @ 2A, 5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 16pF @ 50V, 7pF @ 50V

2107

  • Описание
    MOSFET 3 N-CH 100V 9BGA
2107
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию



Бесплатная доставка 2107 по России

Транзисторы — полевые — массивы 2107 EPC доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить 2107 с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.


Похожие товары
ALD1101ASAL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
50 шт.
50 шт.
от 2 140 ₽
+ 321
ALD1101PAL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
50 шт.
55 шт.
от 1 926 ₽
+ 289
ALD1102PAL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP
50 шт.
22 шт.
от 1 926 ₽
+ 289
ALD1102SAL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC
50 шт.
12 шт.
от 1 556 ₽
+ 233
ALD1103SBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
118 шт.
от 1 715 ₽
+ 257
Смотреть все
Выберите ваш город