2105 Транзисторы — полевые — массивы, TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID, EPC

2105 характеристики	Выбрать все
Серия	eGaN®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	Die
Рабочая температура	-40°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	-
Исполнение корпуса	Die
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Half Bridge)
Особенности полевого транзистора	GaNFET (Gallium Nitride)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	80V
Ток стока (Id) @ 25°C	9.5A, 38A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	14.5 mOhm @ 20A, 5V, 3.4 mOhm @ 20A, 5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 2.5mA, 2.5V @ 10mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	2.5nC @ 5V, 10nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	300pF @ 40V, 1100pF @ 40V

Характеристики	Выбрать все
Серия	eGaN®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	Die
Рабочая температура	-40°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	-
Исполнение корпуса	Die
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Half Bridge)
Особенности полевого транзистора	GaNFET (Gallium Nitride)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	80V
Ток стока (Id) @ 25°C	9.5A, 38A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	14.5 mOhm @ 20A, 5V, 3.4 mOhm @ 20A, 5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 2.5mA, 2.5V @ 10mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	2.5nC @ 5V, 10nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	300pF @ 40V, 1100pF @ 40V