Каталог товаров
Назад

2105

  • Описание
    TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID
2103
  • 1 шт
    2103 ₽
  • 10 шт
    1507 ₽
  • 100 шт
    1157 ₽
  • 500 шт
    1129 ₽
Добавить в корзину 1 шт на сумму 2103
При покупке кэшбэк 315 баллов


2105 характеристики

Производитель EPC
Серия eGaN®
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус Die
Рабочая температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности -
Исполнение корпуса Die
Тип полевого транзистора 2 N-Channel (Half Bridge)
Особенности полевого транзистора GaNFET (Gallium Nitride)
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 80V
Ток стока (Id) @ 25°C 9.5A, 38A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14.5 mOhm @ 20A, 5V, 3.4 mOhm @ 20A, 5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 2.5mA, 2.5V @ 10mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.5nC @ 5V, 10nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 300pF @ 40V, 1100pF @ 40V
  • Производитель
    EPC

Характеристики

Производитель EPC
Серия eGaN®
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус Die
Рабочая температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности -
Исполнение корпуса Die
Тип полевого транзистора 2 N-Channel (Half Bridge)
Особенности полевого транзистора GaNFET (Gallium Nitride)
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 80V
Ток стока (Id) @ 25°C 9.5A, 38A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14.5 mOhm @ 20A, 5V, 3.4 mOhm @ 20A, 5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 2.5mA, 2.5V @ 10mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.5nC @ 5V, 10nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 300pF @ 40V, 1100pF @ 40V

2105

  • Описание
    TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию


  • Производитель
    EPC

Бесплатная доставка 2105 по России

Транзисторы — полевые — массивы 2105 EPC доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить 2105 с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.


Похожие товары
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
18 шт.
от 1199 ₽
+ 179850 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
118 шт.
от 1080 ₽
+ 81000 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
86 шт.
от 784 ₽
+ 58800 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
161 шт.
от 728 ₽
+ 54600 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
645 шт.
от 657 ₽
+ 49275 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
122 шт.
от 742 ₽
+ 111300 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP
50 шт.
18 шт.
от 1361 ₽
+ 204150 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
50 шт.
50 шт.
от 1068 ₽
+ 80100 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
50 шт.
15 шт.
от 676 ₽
+ 50700 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP
50 шт.
50 шт.
от 774 ₽
+ 813 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC
50 шт.
42 шт.
от 1169 ₽
+ 175350 баллов
ALD210808PCL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16DIP
50 шт.
50 шт.
от 847 ₽
+ 317625 баллов