Каталог товаров
Назад

2105

  • Описание
    TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID
950
  • 1 шт
    950 ₽
  • 25 шт
    732 ₽
Добавить в корзину 1 шт на сумму 950
При покупке кэшбэк 142 балла


2105 характеристики

Производитель EPC
Серия eGaN®
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус Die
Рабочая температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности -
Исполнение корпуса Die
Тип полевого транзистора 2 N-Channel (Half Bridge)
Особенности полевого транзистора GaNFET (Gallium Nitride)
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 80V
Ток стока (Id) @ 25°C 9.5A, 38A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14.5 mOhm @ 20A, 5V, 3.4 mOhm @ 20A, 5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 2.5mA, 2.5V @ 10mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.5nC @ 5V, 10nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 300pF @ 40V, 1100pF @ 40V
  • Производитель
    Keystone Electronics

Характеристики

Производитель EPC
Серия eGaN®
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус Die
Рабочая температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности -
Исполнение корпуса Die
Тип полевого транзистора 2 N-Channel (Half Bridge)
Особенности полевого транзистора GaNFET (Gallium Nitride)
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 80V
Ток стока (Id) @ 25°C 9.5A, 38A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14.5 mOhm @ 20A, 5V, 3.4 mOhm @ 20A, 5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 2.5mA, 2.5V @ 10mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.5nC @ 5V, 10nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 300pF @ 40V, 1100pF @ 40V

2105

  • Описание
    TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию


  • Производитель
    Keystone Electronics

Бесплатная доставка 2105 по России

Транзисторы — полевые — массивы 2105 EPC доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить 2105 с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.


Похожие товары
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
50 шт.
7 шт.
от 1101 ₽
+ 82575 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
50 шт.
5 шт.
от 961 ₽
+ 72075 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP
50 шт.
22 шт.
от 961 ₽
+ 72075 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC
50 шт.
19 шт.
от 723 ₽
+ 54225 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
312 шт.
от 1065 ₽
+ 79875 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
6 шт.
от 958 ₽
+ 71850 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
277 шт.
от 695 ₽
+ 52125 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
13 шт.
от 625 ₽
+ 46875 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
575 шт.
от 695 ₽
+ 52125 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
964 шт.
от 628 ₽
+ 47100 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
297 шт.
от 695 ₽
+ 52125 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
48 шт.
от 628 ₽
+ 47100 баллов