2103 характеристики	Выбрать все
Производитель	EPC
Серия	eGaN®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	Die
Рабочая температура	-40°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	-
Исполнение корпуса	Die
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Half Bridge)
Особенности полевого транзистора	GaNFET (Gallium Nitride)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	80V
Ток стока (Id) @ 25°C	28A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.5 mOhm @ 20A, 5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 7mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6.5nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	760pF @ 40V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	EPC
Серия	eGaN®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	Die
Рабочая температура	-40°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	-
Исполнение корпуса	Die
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Half Bridge)
Особенности полевого транзистора	GaNFET (Gallium Nitride)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	80V
Ток стока (Id) @ 25°C	28A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.5 mOhm @ 20A, 5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 7mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6.5nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	760pF @ 40V

2103

2103 характеристики