2100ENGRT характеристики	Выбрать все
Производитель	EPC
Серия	eGaN®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	Die
Рабочая температура	-40°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	-
Исполнение корпуса	Die
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Half Bridge)
Особенности полевого транзистора	GaNFET (Gallium Nitride)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	10A (Ta), 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.2 mOhm @ 25A, 5V, 2.1 mOhm @ 25A, 5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	475pF @ 15V, 1960pF @ 15V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	EPC
Серия	eGaN®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	Die
Рабочая температура	-40°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	-
Исполнение корпуса	Die
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Half Bridge)
Особенности полевого транзистора	GaNFET (Gallium Nitride)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	10A (Ta), 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.2 mOhm @ 25A, 5V, 2.1 mOhm @ 25A, 5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	475pF @ 15V, 1960pF @ 15V

2100ENGRT

2100ENGRT характеристики