Каталог товаров
Назад

2038

  • Описание
    TRANS GAN 100V 2.8OHM BUMPED DIE
371
  • 1 шт
    371 ₽
  • 10 шт
    251 ₽
  • 100 шт
    177 ₽
  • 500 шт
    143 ₽
  • 1000 шт
    133 ₽
  • 2500 шт
    120 ₽
Добавить в корзину 1 шт на сумму 371
При покупке кэшбэк 55 баллов


2038 характеристики

Производитель EPC
Серия eGaN®
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус Die
Технология GaNFET (Gallium Nitride)
Рабочая температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса Die
Рассеивание мощности (Макс) -
Тип полевого транзистора N-Channel
Особенности полевого транзистора -
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 100V
Ток стока (Id) @ 25°C 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.3 Ohm @ 50mA, 5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 20µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.044nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 8.4pF @ 50V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V
Vgs (Max) +6V, -4V
  • Производитель
    EPC

Характеристики

Производитель EPC
Серия eGaN®
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус Die
Технология GaNFET (Gallium Nitride)
Рабочая температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса Die
Рассеивание мощности (Макс) -
Тип полевого транзистора N-Channel
Особенности полевого транзистора -
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 100V
Ток стока (Id) @ 25°C 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.3 Ohm @ 50mA, 5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 20µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.044nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 8.4pF @ 50V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V
Vgs (Max) +6V, -4V

2038

  • Описание
    TRANS GAN 100V 2.8OHM BUMPED DIE
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию


  • Производитель
    EPC

Бесплатная доставка 2038 по России

Транзисторы — полевые — одиночные 2038 EPC доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить 2038 с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.


Сопутствующие товары
шт.
по запросу
от 9460 ₽
+ 7095 баллов
шт.
1 шт.
от 132371 ₽
+ 99278 баллов

Похожие товары
AO3160
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V .04A SOT23
3,000 шт.
542 шт.
от 22 ₽
+ 9900 баллов
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 0.034A SOT23
1 шт.
14500 шт.
от 20.7 ₽
+ 93150 баллов
AO3400
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
3,000 шт.
534 шт.
от 27.5 ₽
+ 1386 баллов
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 5.7A SOT23
1 шт.
163 шт.
от 27.6 ₽
+ 290 баллов
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 30V 4A SOT23
1 шт.
2578 шт.
от 17 ₽
+ 191250 баллов
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 4.0A SOT23
1 шт.
312 шт.
от 21.4 ₽
+ 9630 баллов
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 30V 2.6A SOT23
1 шт.
3799 шт.
от 12.6 ₽
+ 1890 баллов
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23
1 шт.
3254 шт.
от 15.4 ₽
+ 6930 баллов
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23
1 шт.
1185 шт.
от 12 ₽
+ 5400 баллов
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23
1 шт.
8166 шт.
от 25 ₽
+ 23966 баллов
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 30V 2.6A SOT23
1 шт.
1586 шт.
от 13.8 ₽
+ 6210 баллов
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
1 шт.
2378 шт.
от 16 ₽
+ 7200 баллов