2038

Описание

TRANS GAN 100V 2.8OHM BUMPED DIE

Отправить запрос

Бесплатная доставка без минимальной суммы заказа!

Доставим в любой пункт выдачи СДЭК или курьером до вашего адреса по всей России.

2038 характеристики	Выбрать все
Серия	eGaN®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	Die
Технология	GaNFET (Gallium Nitride)
Рабочая температура	-40°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	Die
Рассеивание мощности (Макс)	-
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	100V
Ток стока (Id) @ 25°C	500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.3 Ohm @ 50mA, 5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 20µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.044nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	8.4pF @ 50V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	5V
Vgs (Max)	+6V, -4V

Документация

Datasheetpdf, 5,99 KB

Характеристики	Выбрать все
Серия	eGaN®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	Die
Технология	GaNFET (Gallium Nitride)
Рабочая температура	-40°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	Die
Рассеивание мощности (Макс)	-
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	100V
Ток стока (Id) @ 25°C	500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.3 Ohm @ 50mA, 5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 20µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.044nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	8.4pF @ 50V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	5V
Vgs (Max)	+6V, -4V

2038

Описание

TRANS GAN 100V 2.8OHM BUMPED DIE

* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию

Документация

Datasheetpdf, 5,99 KB

Бесплатно доставим 2038 в пункт выдачи или курьером по вашему адресу

Транзисторы — полевые — одиночные 2038 EPC доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить 2038 с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.

Сопутствующие товары

Подробнее

Подробнее

Подробнее

Смотреть все

Похожие товары

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 0,03А; 0,89Вт; SOT23A-3

277 шт - 4-6 недель

от 28.7 ₽

Кэшбэк + 22

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

MOSFET N-CH 600V 0.034A SOT23

12275 шт - 4-6 недель

от 99 ₽

Кэшбэк + 15

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4,7А; 1,4Вт; SOT23

28060 шт - 4-6 недель

от 16.2 ₽

Кэшбэк + 24

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4А; 1,4Вт; SOT23

5 шт - в наличии

3051 шт - 4-6 недель

от 60 ₽

Кэшбэк + 9

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 3,2А; 0,9Вт; SOT23

3097 шт - 4-6 недель

от 48 ₽

Кэшбэк + 22

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,2А; 900мВт; SOT23

3008 шт - 4-6 недель

от 28.7 ₽

Кэшбэк + 22

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4,9А; 1,4Вт; SOT23

2606 шт - 4-6 недель

от 105 ₽

Кэшбэк + 16

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 2,9А; 0,9Вт; SOT23

2770 шт - 4-6 недель

от 29 ₽

Кэшбэк + 22

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4,3А; 1,4Вт; SOT23

17743 шт - 4-6 недель

от 28.7 ₽

Кэшбэк + 22

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,2А; 1Вт; SOT23

243 шт - 4-6 недель

от 31 ₽

Кэшбэк + 5

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,4А; 900мВт; SOT23

400 шт - 4-6 недель

от 36 ₽

Кэшбэк + 5

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 2,5А; 900мВт; SOT23

2682 шт - 4-6 недель

от 36 ₽

Кэшбэк + 5

Смотреть все

Выберите ваш город