2034 характеристики	Выбрать все
Производитель	EPC
Серия	eGaN®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	Die
Технология	GaNFET (Gallium Nitride)
Рабочая температура	-40°C ~ 140°C (TJ)
Исполнение корпуса	Die
Рассеивание мощности (Макс)	-
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	200V
Ток стока (Id) @ 25°C	48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10 mOhm @ 20A, 5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 7mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	8.8nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	950pF @ 100V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	5V
Vgs (Max)	+6V, -4V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	EPC
Серия	eGaN®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	Die
Технология	GaNFET (Gallium Nitride)
Рабочая температура	-40°C ~ 140°C (TJ)
Исполнение корпуса	Die
Рассеивание мощности (Макс)	-
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	200V
Ток стока (Id) @ 25°C	48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10 mOhm @ 20A, 5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 7mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	8.8nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	950pF @ 100V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	5V
Vgs (Max)	+6V, -4V

2034

2034 характеристики