EMH2314-TL-H от 62 ₽, Транзисторы — полевые — массивы, MOSFET 2P-CH 12V 5A EMH8, ON Semiconductor

EMH2314-TL-H характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Last Time Buy
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SMD, Flat Lead
Рабочая температура	150°C (TJ)
Рассеивание мощности	1.2W
Исполнение корпуса	8-EMH
Тип полевого транзистора	2 P-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	12V
Ток стока (Id) @ 25°C	5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	37 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1300pF @ 6V

Характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Last Time Buy
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SMD, Flat Lead
Рабочая температура	150°C (TJ)
Рассеивание мощности	1.2W
Исполнение корпуса	8-EMH
Тип полевого транзистора	2 P-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	12V
Ток стока (Id) @ 25°C	5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	37 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1300pF @ 6V