EFC4618R-P-TR от 43 ₽, Транзисторы — полевые — массивы, MOSFET 2N-CH EFCP1818, ON Semiconductor

EFC4618R-P-TR характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	4-XBGA, 4-FCBGA
Рабочая температура	150°C (TJ)
Рассеивание мощности	1.6W
Исполнение корпуса	EFCP1313-4CC-037
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual) Common Drain
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate, 2.5V Drive
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	-
Ток стока (Id) @ 25°C	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	25.4nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	-

Характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	4-XBGA, 4-FCBGA
Рабочая температура	150°C (TJ)
Рассеивание мощности	1.6W
Исполнение корпуса	EFCP1313-4CC-037
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual) Common Drain
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate, 2.5V Drive
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	-
Ток стока (Id) @ 25°C	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	25.4nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	-