DMTH6016LSD-13 от 323 ₽, Транзисторы — полевые — массивы, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 6,2А; 1,4Вт; SO8, Diodes Incorporated

DMTH6016LSD-13 характеристики	Выбрать все
Серия	Automotive, AEC-Q101
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	8-SO
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Standard
Ток стока (Id) @ 25°C	7.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	19.5 mOhm @ 10A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	17nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	864pF @ 30V

Характеристики	Выбрать все
Серия	Automotive, AEC-Q101
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	8-SO
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Standard
Ток стока (Id) @ 25°C	7.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	19.5 mOhm @ 10A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	17nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	864pF @ 30V