DMTH6010LPD-13 от 412 ₽, Транзисторы — полевые — массивы, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 10,9А; Idm: 170А; 2,8Вт, Diodes Incorporated

DMTH6010LPD-13 характеристики	Выбрать все
Серия	Automotive, AEC-Q101
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerTDFN
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Рассеивание мощности	2.8W
Исполнение корпуса	PowerDI5060-8
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	13.1A (Ta), 47.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11 mOhm @ 20A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	40.2nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2615pF @ 30V

Характеристики	Выбрать все
Серия	Automotive, AEC-Q101
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerTDFN
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Рассеивание мощности	2.8W
Исполнение корпуса	PowerDI5060-8
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	13.1A (Ta), 47.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11 mOhm @ 20A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	40.2nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2615pF @ 30V