DMTH6009LK3Q-13 от 424 ₽, Транзисторы — полевые — одиночные, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 11,9А; Idm: 90А; 3,2Вт; TO252, Diodes Incorporated

DMTH6009LK3Q-13 характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-252
Рассеивание мощности (Макс)	3.2W (Ta), 60W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	14.2A (Ta), 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10 mOhm @ 13.5A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	33.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1925pF @ 30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-252
Рассеивание мощности (Макс)	3.2W (Ta), 60W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	14.2A (Ta), 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10 mOhm @ 13.5A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	33.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1925pF @ 30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V