DMTH6004SCTB-13 от 710 ₽, Транзисторы — полевые — одиночные, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; Idm: 200А; 4,7Вт; TO263AB, Diodes Incorporated

DMTH6004SCTB-13 характеристики	Выбрать все
Серия	Automotive, AEC-Q101
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-263AB
Рассеивание мощности (Макс)	4.7W (Ta), 136W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.4 mOhm @ 100A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	95.4nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4556pF @ 30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Серия	Automotive, AEC-Q101
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-263AB
Рассеивание мощности (Макс)	4.7W (Ta), 136W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.4 mOhm @ 100A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	95.4nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4556pF @ 30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V