DMTH4007SPDQ-13 от 438 ₽, Транзисторы — полевые — массивы, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 11,9А; Idm: 90А; 2,6Вт, Diodes Incorporated

DMTH4007SPDQ-13 характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerTDFN
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Рассеивание мощности	2.6W
Исполнение корпуса	PowerDI5060-8
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	40V
Ток стока (Id) @ 25°C	14.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.6 mOhm @ 17A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	41.9nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2026pF @ 30V

Характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerTDFN
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Рассеивание мощности	2.6W
Исполнение корпуса	PowerDI5060-8
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	40V
Ток стока (Id) @ 25°C	14.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.6 mOhm @ 17A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	41.9nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2026pF @ 30V