+7 (495) 133-39-03 | info@zener.ru
+7 (495) 133-39-03
корзина
Нет товаров
Электронные компоненты оптом и в розницу
корзина
Нет товаров
Каталог товаров
Назад
Все категории
Назад

DMTH10H010LCT

  • Описание
    Транзистор: N-MOSFET; полевой
433 ₽
  • 1 шт
    433 ₽
  • 50 шт
    230 ₽
  • 100 шт
    209 ₽
  • 500 шт
    171 ₽
  • 1000 шт
    159 ₽
  • 2000 шт
    154 ₽
Добавить в корзину 1 шт на сумму 433 ₽
При покупке кэшбэк 64
Добавить в корзину


DMTH10H010LCT характеристики
Серия -
Part Status Active
Упаковка Tube
Вид монтажа Through Hole
Корпус TO-220-3
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса TO-220AB
Рассеивание мощности (Макс) 2.4W (Ta), 166W (Tc)
Тип полевого транзистора N-Channel
Особенности полевого транзистора -
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 100V
Ток стока (Id) @ 25°C 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.5 mOhm @ 13A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 3.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 53.7nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2592pF @ 50V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (Max) ±20V
  • Производитель
    Diodes Incorporated

Характеристики
Серия -
Part Status Active
Упаковка Tube
Вид монтажа Through Hole
Корпус TO-220-3
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса TO-220AB
Рассеивание мощности (Макс) 2.4W (Ta), 166W (Tc)
Тип полевого транзистора N-Channel
Особенности полевого транзистора -
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 100V
Ток стока (Id) @ 25°C 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.5 mOhm @ 13A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 3.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 53.7nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2592pF @ 50V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (Max) ±20V

DMTH10H010LCT

  • Описание
    Транзистор: N-MOSFET; полевой
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию


  • Производитель
    Diodes Incorporated

Бесплатная доставка DMTH10H010LCT по России

Транзисторы — полевые — одиночные DMTH10H010LCT Diodes Incorporated доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить DMTH10H010LCT с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.


Похожие товары
AO3160
AO3160
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 0,03А; 0,89Вт; SOT23A-3
3,000 шт.
535 шт.
от 34 ₽
+ 26
AO3162
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 0.034A SOT23
1 шт.
13800 шт.
от 131 ₽
+ 20
AO3400
AO3400
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
3,000 шт.
534 шт.
от 44 ₽
+ 178
AO3400A
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4,7А; 1,4Вт; SOT23
1 шт.
588078 шт.
от 108 ₽
+ 16
AO3401A
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4А; 1,4Вт; SOT23
1 шт.
635732 шт.
от 108 ₽
+ 16
AO3402
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 3,2А; 0,9Вт; SOT23
1 шт.
3228 шт.
от 56 ₽
+ 25
AO3403
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,2А; 900мВт; SOT23
1 шт.
649 шт.
от 34 ₽
+ 26
AO3404A
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4,9А; 1,4Вт; SOT23
1 шт.
2031 шт.
от 124 ₽
+ 19
AO3406
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 2,9А; 0,9Вт; SOT23
1 шт.
1155 шт.
от 34 ₽
+ 26
AO3407A
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4,3А; 1,4Вт; SOT23
1 шт.
1853 шт.
от 34 ₽
+ 26
AO3409
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,2А; 1Вт; SOT23
1 шт.
1586 шт.
от 36.5 ₽
+ 5
AO3413
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,4А; 900мВт; SOT23
1 шт.
2368 шт.
от 43 ₽
+ 6
Смотреть все
Выберите ваш город