DMT8012LPS-13 от 227 ₽, Транзисторы — полевые — одиночные, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 7,2А; Idm: 80А; 2,1Вт, Diodes Incorporated

DMT8012LPS-13 характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Discontinued at Digi-Key
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerTDFN
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	PowerDI5060-8
Рассеивание мощности (Макс)	2.1W (Ta), 113W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	80V
Ток стока (Id) @ 25°C	9A (Ta), 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	17 mOhm @ 12A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	34nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1949pF @ 40V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Discontinued at Digi-Key
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerTDFN
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	PowerDI5060-8
Рассеивание мощности (Макс)	2.1W (Ta), 113W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	80V
Ток стока (Id) @ 25°C	9A (Ta), 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	17 mOhm @ 12A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	34nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1949pF @ 40V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V