DMT68M8LSS-13 от 204 ₽, Транзисторы — полевые — одиночные, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 9,7А; Idm: 100А; 1,9Вт; SO8, Diodes Incorporated

DMT68M8LSS-13 характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	8-SO
Рассеивание мощности (Макс)	1.9W (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	28.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.5 mOhm @ 13.5A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	31.8nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2107pF @ 30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	8-SO
Рассеивание мощности (Макс)	1.9W (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	28.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.5 mOhm @ 13.5A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	31.8nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2107pF @ 30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V