DMT6018LDR-7 от 328 ₽, Транзисторы — полевые — массивы, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 9,1А; Idm: 50А; 1,2Вт, Diodes Incorporated

DMT6018LDR-7 характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerVDFN
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	1.9W
Исполнение корпуса	V-DFN3030-8
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	11.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	17 mOhm @ 8.2A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6.2nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	869pF @ 30V

Характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerVDFN
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	1.9W
Исполнение корпуса	V-DFN3030-8
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	11.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	17 mOhm @ 8.2A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6.2nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	869pF @ 30V