DMT6015LFV-7 от 204 ₽, Транзисторы — полевые — одиночные, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 7,6А; Idm: 60А; 2,2Вт, Diodes Incorporated

DMT6015LFV-7 характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerVDFN
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	PowerDI3333-8
Рассеивание мощности (Макс)	2.2W (Ta), 30W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	9.5A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	16 mOhm @ 10A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	18.9nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1103pF @ 30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±16V

Характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerVDFN
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	PowerDI3333-8
Рассеивание мощности (Макс)	2.2W (Ta), 30W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	9.5A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	16 mOhm @ 10A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	18.9nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1103pF @ 30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±16V