DMT6005LPS-13 от 377 ₽, Транзисторы — полевые — одиночные, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 14,7А; Idm: 500А; 2,6Вт, Diodes Incorporated

DMT6005LPS-13 характеристики	Выбрать все
Серия	Automotive, AEC-Q101
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerTDFN
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	PowerDI5060-8
Рассеивание мощности (Макс)	2.6W (Ta), 125W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	17.9A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.9 mOhm @ 50A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	47.1nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2962pF @ 30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Серия	Automotive, AEC-Q101
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerTDFN
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	PowerDI5060-8
Рассеивание мощности (Макс)	2.6W (Ta), 125W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	17.9A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.9 mOhm @ 50A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	47.1nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2962pF @ 30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V