DMT4011LFG-7 от 185 ₽, Транзисторы — полевые — одиночные, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 8,6А; Idm: 65А; 2Вт, Diodes Incorporated

DMT4011LFG-7 характеристики	Выбрать все
Серия	Automotive, AEC-Q101
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerVDFN
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	PowerDI3333-8
Рассеивание мощности (Макс)	15.6W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	40V
Ток стока (Id) @ 25°C	30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11 mOhm @ 20A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15.1nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	767pF @ 20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	+20V, -16V

Характеристики	Выбрать все
Серия	Automotive, AEC-Q101
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerVDFN
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	PowerDI3333-8
Рассеивание мощности (Макс)	15.6W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	40V
Ток стока (Id) @ 25°C	30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11 mOhm @ 20A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15.1nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	767pF @ 20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	+20V, -16V