DMT3020LFDB-13 Транзисторы — полевые — массивы, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 6,2А; Idm: 50А; 1,8Вт, Diodes Incorporated

DMT3020LFDB-13 характеристики	Выбрать все
Серия	Automotive, AEC-Q101
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-UDFN Exposed Pad
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	700mW
Исполнение корпуса	U-DFN2020-6 (Type B)
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	7.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20 mOhm @ 9A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	393pF @ 15V

Характеристики	Выбрать все
Серия	Automotive, AEC-Q101
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-UDFN Exposed Pad
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	700mW
Исполнение корпуса	U-DFN2020-6 (Type B)
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	7.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20 mOhm @ 9A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	393pF @ 15V