DMT3011LDT-7 от 300 ₽, Транзисторы — полевые — массивы, MOSFET 2N-CH 30V 8A V-DFN3030-8, Diodes Incorporated

DMT3011LDT-7 характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-VDFN Exposed Pad
Рабочая температура	-55°C ~ 155°C (TJ)
Рассеивание мощности	1.9W
Исполнение корпуса	V-DFN3030-8 (Type K)
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	8A, 10.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20 mOhm @ 6A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	13.2nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	641pF @ 15V

Характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-VDFN Exposed Pad
Рабочая температура	-55°C ~ 155°C (TJ)
Рассеивание мощности	1.9W
Исполнение корпуса	V-DFN3030-8 (Type K)
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	8A, 10.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20 mOhm @ 6A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	13.2nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	641pF @ 15V