+7 (495) 133-39-03 | info@zener.ru
+7 (495) 133-39-03
корзина
Нет товаров
Электронные компоненты оптом и в розницу
корзина
Нет товаров
Каталог товаров
Назад
Все категории
Назад

DMT3011LDT-7

  • Описание
    MOSFET 2N-CH 30V 8A V-DFN3030-8
225 ₽
цена с НДС
  • 1 шт
    225 ₽
  • 10 шт
    142 ₽
  • 100 шт
    94 ₽
  • 500 шт
    73 ₽
  • 1000 шт
    66 ₽
  • 3000 шт
    56 ₽
  • 6000 шт
    52 ₽
  • 9000 шт
    50 ₽
Добавить в корзину 1 шт на сумму 225 ₽
При покупке кэшбэк 33 балла
Добавить в корзину
  • Бесплатная доставка по России
    Бесплатная доставка без минимальной суммы заказа!
    Доставим в любой пункт выдачи СДЭК или курьером до вашего адреса по всей России.

DMT3011LDT-7 характеристики
Серия -
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 8-VDFN Exposed Pad
Рабочая температура -55°C ~ 155°C (TJ)
Рассеивание мощности 1.9W
Исполнение корпуса V-DFN3030-8 (Type K)
Тип полевого транзистора 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Особенности полевого транзистора Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 30V
Ток стока (Id) @ 25°C 8A, 10.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20 mOhm @ 6A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13.2nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 641pF @ 15V
  • Производитель
    Diodes Incorporated

Характеристики
Серия -
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 8-VDFN Exposed Pad
Рабочая температура -55°C ~ 155°C (TJ)
Рассеивание мощности 1.9W
Исполнение корпуса V-DFN3030-8 (Type K)
Тип полевого транзистора 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Особенности полевого транзистора Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 30V
Ток стока (Id) @ 25°C 8A, 10.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20 mOhm @ 6A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13.2nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 641pF @ 15V

DMT3011LDT-7

  • Описание
    MOSFET 2N-CH 30V 8A V-DFN3030-8
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию


  • Производитель
    Diodes Incorporated

Бесплатно доставим DMT3011LDT-7 в пункт выдачи или курьером по вашему адресу

Транзисторы — полевые — массивы DMT3011LDT-7 Diodes Incorporated доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить DMT3011LDT-7 с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.


Похожие товары
ALD1101ASAL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
25 шт - 4-6 недель
от 1867 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 280
ALD1101PAL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
20 шт - 4-6 недель
от 1677 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 252
ALD1102PAL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP
40 шт - 4-6 недель
от 1677 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 252
ALD1102SAL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC
43 шт - 4-6 недель
от 1356 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 203
ALD1103SBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
45 шт - 4-6 недель
от 1804 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 271
ALD1105PBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
177 шт - 4-6 недель
от 1304 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 196
ALD1105SBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
40 шт - 4-6 недель
от 1310 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 197
ALD1106PBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14DIP
143 шт - 4-6 недель
от 1304 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 196
ALD1106SBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14SOIC
3011 шт - 4-6 недель
от 1310 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 197
ALD1107PBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14DIP
107 шт - 4-6 недель
от 1304 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 196
ALD1107SBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14SOIC
31 шт - 4-6 недель
от 1215 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 182
ALD110800APCL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP
20 шт - 4-6 недель
от 1872 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 281
Смотреть все
Выберите ваш город