DMT3006LFDF-7 от 180 ₽, Транзисторы — полевые — одиночные, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 12,5А; Idm: 80А; 2,1Вт, Diodes Incorporated

DMT3006LFDF-7 характеристики	Выбрать все
Серия	Automotive, AEC-Q101
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-UDFN Exposed Pad
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	U-DFN2020-6 (Type F)
Рассеивание мощности (Макс)	800mW (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	14.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7 mOhm @ 9A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	22.6nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1320pF @ 15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	3.7V, 10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Серия	Automotive, AEC-Q101
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-UDFN Exposed Pad
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	U-DFN2020-6 (Type F)
Рассеивание мощности (Макс)	800mW (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	14.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7 mOhm @ 9A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	22.6nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1320pF @ 15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	3.7V, 10V
Vgs (Max)	±20V