DMT3006LDK-7 от 169 ₽, Транзисторы — полевые — одиночные, MOSFET N-CH 30V 17.1A VDFN30308, Diodes Incorporated

DMT3006LDK-7 характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerWDFN
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	V-DFN3030-8
Рассеивание мощности (Макс)	1.1W (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	17.1A (Ta), 46.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.5 mOhm @ 12A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	22.6nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1320pF @ 15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerWDFN
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	V-DFN3030-8
Рассеивание мощности (Макс)	1.1W (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	17.1A (Ta), 46.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.5 mOhm @ 12A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	22.6nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1320pF @ 15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V