Каталог товаров
Назад

DMT10H015LSS-13

  • Описание
    Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 6,7А; Idm: 54А; 1,67Вт; SO8
377
  • 1 шт
    377 ₽
  • 10 шт
    238 ₽
  • 100 шт
    159 ₽
  • 500 шт
    125 ₽
  • 1000 шт
    115 ₽
  • 2500 шт
    95 ₽
  • 5000 шт
    95 ₽
Добавить в корзину 1 шт на сумму 377
При покупке кэшбэк 56


DMT10H015LSS-13 характеристики

Серия -
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса 8-SO
Рассеивание мощности (Макс) 1.2W (Ta)
Тип полевого транзистора N-Channel
Особенности полевого транзистора -
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 100V
Ток стока (Id) @ 25°C 8.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16 mOhm @ 20A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 3.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33.3nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1871pF @ 50V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Vgs (Max) ±20V
  • Производитель
    Diodes Incorporated

Характеристики

Серия -
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса 8-SO
Рассеивание мощности (Макс) 1.2W (Ta)
Тип полевого транзистора N-Channel
Особенности полевого транзистора -
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 100V
Ток стока (Id) @ 25°C 8.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16 mOhm @ 20A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 3.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33.3nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1871pF @ 50V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Vgs (Max) ±20V

DMT10H015LSS-13

  • Описание
    Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 6,7А; Idm: 54А; 1,67Вт; SO8
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию


  • Производитель
    Diodes Incorporated

Бесплатная доставка DMT10H015LSS-13 по России

Транзисторы — полевые — одиночные DMT10H015LSS-13 Diodes Incorporated доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить DMT10H015LSS-13 с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.


Похожие товары
AO3160
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 0,03А; 0,89Вт; SOT23A-3
3,000 шт.
535 шт.
от 34 ₽
+ 26
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 0.034A SOT23
1 шт.
13800 шт.
от 131 ₽
+ 20
AO3400
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
3,000 шт.
534 шт.
от 44 ₽
+ 178
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4,7А; 1,4Вт; SOT23
1 шт.
588078 шт.
от 108 ₽
+ 16
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4А; 1,4Вт; SOT23
1 шт.
635732 шт.
от 108 ₽
+ 16
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 3,2А; 0,9Вт; SOT23
1 шт.
3228 шт.
от 56 ₽
+ 25
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,2А; 900мВт; SOT23
1 шт.
649 шт.
от 34 ₽
+ 26
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4,9А; 1,4Вт; SOT23
1 шт.
2031 шт.
от 124 ₽
+ 19
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 2,9А; 0,9Вт; SOT23
1 шт.
1155 шт.
от 34 ₽
+ 26
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4,3А; 1,4Вт; SOT23
1 шт.
1853 шт.
от 34 ₽
+ 26
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,2А; 1Вт; SOT23
1 шт.
1586 шт.
от 36.5 ₽
+ 5
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,4А; 900мВт; SOT23
1 шт.
2368 шт.
от 43 ₽
+ 6