DMT10H015LCG-13 Транзисторы — полевые — одиночные, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 7,5А; Idm: 54А; 2,1Вт, Diodes Incorporated

DMT10H015LCG-13 характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-VDFN Exposed Pad
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 155°C (TJ)
Исполнение корпуса	V-DFN3333-8
Рассеивание мощности (Макс)	1W (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	100V
Ток стока (Id) @ 25°C	9.4A (Ta), 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	15 mOhm @ 20A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	33.3nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1871pF @ 50V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-VDFN Exposed Pad
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 155°C (TJ)
Исполнение корпуса	V-DFN3333-8
Рассеивание мощности (Макс)	1W (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	100V
Ток стока (Id) @ 25°C	9.4A (Ta), 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	15 mOhm @ 20A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	33.3nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1871pF @ 50V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V