Каталог товаров
Назад

DMT10H010LCT

  • Описание
    Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 62А; Idm: 92А; 139Вт; TO220AB
447
  • 1 шт
    447 ₽
  • 50 шт
    238 ₽
  • 100 шт
    216 ₽
  • 500 шт
    177 ₽
  • 1000 шт
    164 ₽
  • 2000 шт
    160 ₽
Добавить в корзину 1 шт на сумму 447
При покупке кэшбэк 67


DMT10H010LCT характеристики

Серия -
Part Status Active
Упаковка Tube
Вид монтажа Through Hole
Корпус TO-220-3
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса TO-220AB
Рассеивание мощности (Макс) 2W (Ta), 139W (Tc)
Тип полевого транзистора N-Channel
Особенности полевого транзистора -
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 100V
Ток стока (Id) @ 25°C 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.5 mOhm @ 13A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 71nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3000pF @ 50V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Vgs (Max) ±20V
  • Производитель
    Diodes Incorporated

Характеристики

Серия -
Part Status Active
Упаковка Tube
Вид монтажа Through Hole
Корпус TO-220-3
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса TO-220AB
Рассеивание мощности (Макс) 2W (Ta), 139W (Tc)
Тип полевого транзистора N-Channel
Особенности полевого транзистора -
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 100V
Ток стока (Id) @ 25°C 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.5 mOhm @ 13A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 71nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3000pF @ 50V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Vgs (Max) ±20V

DMT10H010LCT

  • Описание
    Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 62А; Idm: 92А; 139Вт; TO220AB
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию


  • Производитель
    Diodes Incorporated

Бесплатная доставка DMT10H010LCT по России

Транзисторы — полевые — одиночные DMT10H010LCT Diodes Incorporated доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить DMT10H010LCT с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.


Похожие товары
AO3160
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 0,03А; 0,89Вт; SOT23A-3
3,000 шт.
535 шт.
от 34 ₽
+ 26
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 0.034A SOT23
1 шт.
13800 шт.
от 131 ₽
+ 20
AO3400
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
3,000 шт.
534 шт.
от 44 ₽
+ 178
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4,7А; 1,4Вт; SOT23
1 шт.
588078 шт.
от 108 ₽
+ 16
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4А; 1,4Вт; SOT23
1 шт.
635732 шт.
от 108 ₽
+ 16
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 3,2А; 0,9Вт; SOT23
1 шт.
3228 шт.
от 56 ₽
+ 25
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,2А; 900мВт; SOT23
1 шт.
649 шт.
от 34 ₽
+ 26
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4,9А; 1,4Вт; SOT23
1 шт.
2031 шт.
от 124 ₽
+ 19
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 2,9А; 0,9Вт; SOT23
1 шт.
1155 шт.
от 34 ₽
+ 26
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4,3А; 1,4Вт; SOT23
1 шт.
1853 шт.
от 34 ₽
+ 26
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,2А; 1Вт; SOT23
1 шт.
1586 шт.
от 36.5 ₽
+ 5
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,4А; 900мВт; SOT23
1 шт.
2368 шт.
от 43 ₽
+ 6