DMS3017SSD-13 от 176 ₽, Транзисторы — полевые — массивы, MOSFET 2N-CH 30V 8A/6A 8SO, Diodes Incorporated

DMS3017SSD-13 характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Discontinued at Digi-Key
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	1.19W
Исполнение корпуса	8-SOIC
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	8A, 6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12 mOhm @ 9.5A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	30.6nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1276pF @ 15V

Характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Discontinued at Digi-Key
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	1.19W
Исполнение корпуса	8-SOIC
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	8A, 6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12 mOhm @ 9.5A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	30.6nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1276pF @ 15V