DMS3012SFG-13 Транзисторы — полевые — одиночные, MOSFET N-CH 30V 12A POWERDI, Diodes Incorporated

DMS3012SFG-13 характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerWDFN
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	PowerDI3333-8
Рассеивание мощности (Макс)	890mW (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	Schottky Diode (Body)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10 mOhm @ 13.5A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	14.7nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4310pF @ 15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerWDFN
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	PowerDI3333-8
Рассеивание мощности (Макс)	890mW (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	Schottky Diode (Body)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10 mOhm @ 13.5A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	14.7nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4310pF @ 15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V