DMS2220LFW-7 Транзисторы — полевые — одиночные, MOSFET P-CH 20V 2.9A 8-DFN, Diodes Incorporated

DMS2220LFW-7 характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-VDFN Exposed Pad
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	8-DFN3020 (3x2)
Рассеивание мощности (Макс)	1.5W (Ta)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	Schottky Diode (Isolated)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	95 mOhm @ 2.8A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.3V @ 250µA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	632pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Vgs (Max)	±12V

Характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-VDFN Exposed Pad
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	8-DFN3020 (3x2)
Рассеивание мощности (Макс)	1.5W (Ta)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	Schottky Diode (Isolated)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	95 mOhm @ 2.8A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.3V @ 250µA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	632pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Vgs (Max)	±12V