DMP6110SSD-13 от 225 ₽, Транзисторы — полевые — массивы, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -60В; -2,7А; Idm: -24А; 1,2Вт; SO8, Diodes Incorporated

DMP6110SSD-13 характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Корпус	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	1.2W
Исполнение корпуса	8-SO
Тип полевого транзистора	2 P-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	3.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	105 mOhm @ 4.5A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	17.2nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	969pF @ 30V

Характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Корпус	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	1.2W
Исполнение корпуса	8-SO
Тип полевого транзистора	2 P-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	3.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	105 mOhm @ 4.5A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	17.2nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	969pF @ 30V