DMP6110SFDF-7 от 169 ₽, Транзисторы — полевые — одиночные, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -3,4А; Idm: -20А; 1,3Вт, Diodes Incorporated

DMP6110SFDF-7 характеристики	Выбрать все
Серия	Automotive, AEC-Q101
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-UDFN Exposed Pad
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	U-DFN2020-6 (Type F)
Рассеивание мощности (Макс)	1.97W (Ta)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	110 mOhm @ 4.5A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	17.2nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	969pF @ 30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Серия	Automotive, AEC-Q101
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-UDFN Exposed Pad
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	U-DFN2020-6 (Type F)
Рассеивание мощности (Макс)	1.97W (Ta)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	110 mOhm @ 4.5A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	17.2nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	969pF @ 30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V